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          English


          分子束外延鍍膜機

          主要用途:

          設備用于生長光學晶體、超導體和有機化合物等薄膜材料,以及其它高熔點、多元素及含有氣體元素的復雜層狀超晶格薄膜材料和多層薄膜材料。



          系統主體結構:

          系統由真空腔室(外延生長室、進樣室)、樣品傳遞機構、旋轉樣品架、真空系統、真空測量、電器控制、氣體、計算機控制等各部分組成。具體如下:


          外延生長室:超高真空環境下完成材料外延生長, 尺寸 450mm, 極限真空:5.0X10-8Pa

          進樣室:快速進樣,并保證外延室超高真空環境,尺寸¢ 200X300mm, 極限真空:5.0X10-5Pa

          基片臺: 旋轉,0-100/,加熱,0-600;公轉

          高能電子衍射儀:可原位監測生長過程

          CCD成像:觀察衍射光點圖像、強度變化,采集數據,儲存,打印

          四極質譜儀:系統檢漏和腔內殘氣分析

          電器控制系統:精確控制溫度、轉速、位移

          氣體電離系統:專利技術設計,保證超高真空下工作需求

          脈沖準分子激光器:(用戶可選購)

          激光束掃描系統:

          計算機控制系統:自動控制加熱,旋轉,位移,激光束掃描(用戶可選購)


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